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  • 型号：2SJ202
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+NOPB2400
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：H13
  • 封装：SOT-323/SC70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-16V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流IdDrain Current-100mA/-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance23Ω @-1A,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.1--2.1V
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance Complementary to 2SK1580
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻 对管是2SK1580
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ202
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