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  • 型号：2SJ204
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+21R08+nopb 08+ROHS8RM
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：H15
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current -200mA/-0.2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 6Ω @-1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage -1.4--2.4V
耗散功率PdPower Dissipation 200mW/0.2W
Description & Applications MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用 MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ204
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