首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SJ327-Z-E1
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J327
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.21Ω @-1.6A,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ327-Z-E1
*主题：
详细内容：
*验证码：