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商品参数:

  • 型号:2SJ328-Z-E1
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:J328
  • 封装:TO-220FL/SM
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-20A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.48Ω @-1A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation75W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE low on-state resistance low Ciss built-in G-S gate protecion diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 开关 P沟道功率MOS FET 工业用途 低通-态电阻 Ciss低 内置G-S门的法律保护二极管
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ328-Z-E1
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