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  • 型号：2SJ412
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J412
  • 封装：TO-220FL/SM
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-100V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-16A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.15Ω @-6A,10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.8--2.0V
耗散功率PdPower Dissipation60W
Description & ApplicationsTOSHIBA field effect transistor silicon p channel MOS type high speed,high current switching applications chopper regulator,DC-DC converter and motor drive applications 4-V gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型 高速，高电流开关应用 削波稳压器，DC-DC转换器和电机驱动应用 4-V栅极驱动器 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ412
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