请先登录
首页
购物车0
库存60600件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SJ574BP
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BP
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.3A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.1Ω @-150mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.3--2.3V
耗散功率PdPower Dissipation400mW/0.4W
Description & ApplicationsFeatures •Low on-resistance RDS = 1.1 typ. (VGS= -10 V , ID = -150 mA) RDS= 2.2 typ. (VGS = -4 V , ID = -150 mA) •4 V gate drive device. •Small package (MPAK)
描述与应用•低导通电阻 RDS=1.1（典型值）。 （VGS=-10V，ID= -150毫安） RDS=2.2（典型值）。 （VGS=-4 V，ID= -150毫安） •4 V栅极驱动装置。 •小型封装（MPAK）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ574BP
*主题：
详细内容：
*验证码：