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  • 型号：2SJ576APTL-E
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：04/05NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：AP
  • 封装：SOT-323/SC70/CMPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.28Ω @-50mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.3--2.3V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsFeatures •Low on-resistance RDS=2.8 Ω typ. (VGS = -10 V , ID = -50 mA)RDS=5.7 Ω typ. (VGS = -4 V , ID = -50 mA) •4 V gate drive device. •Small package (CMPAK)
描述与应用•低导通电阻 RDS=2.8Ω（典型值）。 （VGS= -10V， ID= -50毫安）RDS=5.7Ω（典型值）（VGS=-4 V，ID=-50毫安） •4 V栅极驱动装置。 •采用小型封装（CMPAK），
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SJ576APTL-E
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