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  • 型号：2SK1215
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：IGE
  • 封装：SOT-323/SC-70/CMPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Application
描述与应用硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET VHF放大器应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1215
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