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商品参数:

  • 型号:2SK1579
  • 厂家:HITACHI
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DY
  • 封装:SOT-89/UPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage7V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.25Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.4V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High speed power switching Features High speed power switching Low on-resistance High speed switching Suitable for low voltage operation
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 适用于低电压操作
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1579
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