2SK1585 N沟道MOSFET 16V 1A SOT-89 marking/标记 NE FET作开关/低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1585 N沟道MOSFET 16V 1A SOT-89 marking/标记 NE FET作开关/低导通电阻

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型号：2SK1585
厂家：NEC
批号：05+ 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：NE
封装：SOT-89/SC-62
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	16V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	16V
最大漏极电流Id Drain Current	1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.3Ω/Ohm @500mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.8-1.6V
耗散功率Pd Power Dissipation	2W
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用	N沟道MOS FET的切换直接被带有5V电源的IC驱动不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗具有高电压和高速开关特性

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
HMBT3906XLT1 PNP三极管 -40V -200mA/-0.2A 250MHz 100~300 -400mV/-0.4V SOT-23/SC-59 marking/标记 2A 开关和放大器	HMBT3906XLT1 标记：2A 封装：SOT-23/SC-59	HI-SINCERITY	批号：05	3000 10起订
BSS138LT1G N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 J1 增强模式逻辑电平	BSS138LT1G 标记：J1 封装：SOT-23/SC-59	ON	批号：09+ROHS 05+	500 10起订
S-81245SGUP LDO电压调整器/稳压电源IC 4.5V 210mV/0.21V SOT-89 marking/标记 DQ5 短路保护过热保护	S-81245SGUP 标记：DQ5 封装：SOT-89	SEIKO	批号：05+ 00+	10000 10起订
BC847C NPN三极管 50V 100mA/0.1A 250MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1G 通用开关和放大	BC847C 标记：1G 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：11+3kROHS	9000 10起订
RTAN140M 带阻NPN三极管 40V 400mA/0.4A 10k SOT-323/SC-70 marking/标记 QB	RTAN140M 标记：QB 封装：SOT-323/SC-70	MITSUBISHI	批号：07+NOPB 07+NOPB	0 10起订
3mm的方形贴片，单圈密封的金属陶瓷剪 G31ATB103M 10KΩ/Ohm 3X3-10K marking/标记 103	G31ATB103M 标记：103 封装：3X3-10K	TOCOS	批号：05+ 05+	1600 10起订
小功率电感 nl252018t-100k-s 10UH 2520-100K	nl252018t-100k-s 标记：封装：2520-100K	TAIWAN	批号：05+ 05+	8000 10起订
R1140Q301B-TR LDO电压调整器/稳压电源IC 3V 180mV/0.18V SOT-343/SC-82 marking/标记 go 短路保护过热保护	R1140Q301B-TR 标记：go 封装：SOT-343/SC-82	RICOH	批号：05+	0 10起订

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