2SK1597 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 XL FET作开关/低栅极泄漏电流|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK1597 N沟道MOSFET SOT-23/SC-59 marking/标记 XL FET作开关/低栅极泄漏电流

库存0件10起订

购买数量

商品参数

相关型号

商品参数：

型号：2SK1597
厂家：SANYO
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：XL
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage
最大漏极电流Id Drain Current
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage
耗散功率Pd Power Dissipation
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 3V power supply Has low gate leakage current,it is suitable for filter circuit
描述与应用	N沟道MOS FET作开关直接被带有3V电源的IC驱动具有低栅极泄漏电流，这是适用于滤波电路

商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
小功率电感 LB2012T100M 10UH 0805-100M	LB2012T100M 标记：封装：0805-100M	TAIYO	批号：04+ 05+	6000 10起订
2SK853A N沟道结型场效应管 50v 0.5~12mA SOT-323 marking/标记 K24 AF,RF放大器	2SK853A 标记：K24 封装：SOT-323/SC70	NEC	批号：05+ 05+NOPB2360	7000 10起订
HZM6.8NB2TL 稳压二极管 6.8V 200mW/0.2W SOT23-6.8V marking/标记 B2 682	HZM6.8NB2TL 标记：B2 682 封装：SOT23-6.8V	HITACHI	批号：05+	0 10起订
L9012QLT1 PNP三极管 -40V -500mA/-0.5A 150~300 -600mV/-0.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 1YA	L9012QLT1 标记：1YA 封装：SOT-23/SC-59	LRC	批号：05+	1000 10起订
BL-HG036D-TR LED二极管 2V 30mA 80mW 0603黄绿色	BL-HG036D-TR 标记：封装：0603黄绿色	BRIGHT LED ELECTRONICS	批号：03+	1100 10起订
集成电路IC HY22-73 SOT-163 标记 HH	HY22-73 标记：HH 封装：SOT-163	ALPHA	批号：05+	1580 10起订
2SA1385-Z-E PNP三极管 -60V -5A 140MHz 100~400 -180mV/-0.18V TO-252/DPAK marking/标记 A1385	2SA1385-Z-E 标记：A1385 封装：TO-252/DPAK	NEC	批号：5	0 10起订
MMSZ5250ET1 稳压二极管 20V 500mW/0.5W SOD123/1206-20V marking/标记 CD3U	MMSZ5250ET1 标记：CD3U 封装：SOD123/1206-20V	ON	批号：06NOPB	3000 10起订

在线询价：

* 来自：

寄予：: 深圳市爱瑞凯电子科技有限公司

商品：: 2SK1597

*主题：

详细内容：

*验证码：