2SK1830 N沟道MOSFET 20V 50mA SOT-523/SSM marking/标记 KI 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1830 N沟道MOSFET 20V 50mA SOT-523/SSM marking/标记 KI 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压

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型号：2SK1830
厂家：TOSHIBA
批号：12+ROHS 12+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：KI
封装：SOT-523/SSM
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	20Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型高速开关应用模拟开关应用特性硅N沟道MOS FET 高速开关应用模拟开关应用 2.5V栅极驱动低阈值电压高速增强型小包装
描述与应用	特性硅N沟道MOS FET 高速开关应用模拟开关应用 2.5V栅极驱动低阈值电压高速增强型小包装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
BBY51-03W 变容二极管 7V 5.4pF 1.75 SOT-23/SC-59 marking/标记 H 低调谐电压操作	BBY51-03W 标记：H 封装：SOD-323	SIEMENS	批号：05+ 05+	7800 10起订
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1SV325 变容二极管 10V 44pF-49.5pF 4.3 SOD-523/SC-79/ESC/0603 marking/标记 V8 调谐/高电容率/低串联电阻	1SV325 标记：V8 封装：SOD-523/SC-79/ESC/0603	TOSHIBA	批号：1151+rohs 11+ROHS	0 10起订
集成电路 LM1087M-ADJ SOT-89 标记 L1087	LM1087M-ADJ 标记：L1087 封装：SOT-89	SINYORK	批号：04+	700 10起订
1.5SMC33CA 瞬态抑制二极管TVS/ESD 28.2V 32.8A 6.5W DO-214AB/SMC-33V 标记BHN	1.5SMC33CA 标记：BHN 封装：DO-214AB/SMC-33V	VISHAY	批号：09NOPB	400 10起订
SI2314EDS N沟道MOSFET 20V 4.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 C4z6a 低导通电阻。	SI2314EDS 标记：c4Z6A 封装：SOT-23/SC-59	VISHAY	批号：09+ROHS	0 10起订

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