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  • 型号：2SK1954
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K1954
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage180V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.52Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings
描述与应用MOS场效应功率晶体管 N沟道功率MOS FET工业用途 特性 MOS场效应功率晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 低通态电阻 低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管 高雪崩能力评级
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1954
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