2SK2040-Z-E1 N沟道MOSFET 600V 2A TO-252/D-PAK marking/标记 K2040 低导通电阻/内置G-S栅的法律保护二极管/高雪崩能力评级|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2040-Z-E1 N沟道MOSFET 600V 2A TO-252/D-PAK marking/标记 K2040 低导通电阻/内置G-S栅的法律保护二极管/高雪崩能力评级

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型号：2SK2040-Z-E1
厂家：NEC
批号：05+
整包数量：2000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K2040
封装：TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	600V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	4.2Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.0-4.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	1W
Description & Applications	Features MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low on-state resistance Low Ciss Built-in G-S gate protecion diode High avalanche capability ratings
描述与应用	特性 MOS场效应功率晶体管开关N沟道功率MOS FET工业用途低通态电阻低Ciss 内置G-S栅的法律保护二极管高雪崩能力评级

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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