2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压

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型号：2SK2099
厂家：FUJI
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
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封装：TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.6Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	20W
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用	N沟道MOS-FET 特性 N沟道MOS FET 高速开关低导通电阻无二次击穿低驱动功率高电压 VGS=±30V保证防雪崩

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
CPH3417 N沟道MOSFET 20v 1.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 KS	CPH3417 标记：KS 封装：SOT-23/SC-59	SANYO	批号：05+	0 10起订
R1120N361B LDO电压调整器/稳压电源IC 3.6V 170mV/0.17V SOT-153/SOT23-5 marking/标记 SG 短路保护过热保护	R1120N361B 标记：SG 封装：SOT-153/SOT23-5	RICOH	批号：05+	3200 10起订
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MT4S100U 高频三极管NPN 6V 15MA HEF=200~400 22GHZ 代码 P6	MT4S100U 标记：P6 封装：SOT-343/USQ	TOSHIBA	批号：11+ROHS 11+ROHS	9000 起订
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CPH6314 复合场效应管 -30V -4A SOT-163/SOT23-6/CPH6 marking/标记 JQ 超高速开关 4V驱动	CPH6314 标记：JQ 封装：SOT-163/SOT23-6/CPH6	SANYO	批号：05+	2000 10起订
小功率电感 LQH3NR56M34M00-01 560nH/0.56UH 3225-R56M	LQH3NR56M34M00-01 标记：封装：3225-R56M	MURATA	批号：05+	1200 10起订

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