2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2099 N沟道MOSFET 250V 6A TO-252/D-PAK marking/标记高速开关/低导通电阻/无二次击穿/低驱动功率/高电压

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型号：2SK2099
厂家：FUJI
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
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封装：TO-252/D-PAK
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	30V
最大漏极电流Id Drain Current	6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.6Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	2.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	20W
Description & Applications	N-CHANNEL MOS FET High Speed Switching Low On-Resistance No Secondary Breakdown Low Driving Power High Voltage VGS = ± 30V Guarantee Avalanche Proof
描述与应用	N沟道MOS-FET 特性 N沟道MOS FET 高速开关低导通电阻无二次击穿低驱动功率高电压 VGS=±30V保证防雪崩

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
贴片电容 SMD Ceramic Capacitor CL10C1R8CB8ANNC 0603 COG 1.8PF 50V ±0.25pF	CL10C1R8CB8ANNC 0603 COG 1.8PF 50V 标记：封装：0603	SAMSUNG	批号：14+ROHS	0 100起订
慢速熔断保险管 0460.500UR 500mA/0.5A 125V 2512-500MA marking/标记 1/2A	0460.500UR 标记：1/2A 封装：2512-500MA	LITTELFUSE	批号：05+NOPB4K 05+ROHS4K	4500 10起订
热敏电阻 B57621-C474-K62 470KΩ 1206-470K	B57621-C474-K62 标记：封装：1206-470K	SIEMENS	批号：05+ 05+	3800 10起订
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XP4111 PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -0.1A 0.15W R1=R2= 10KΩ 代码 9U SOT363 开关电路逆变器接口电路驱动电路	XP4111 标记：9U 封装：SOT-363/SC-88/SC70-6	Panasonic	批号：05+ 05+	21000 10起订
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2SD2459GRL NPN三极管 150V 1A 90MHz 120~240 110mV/0.11V SOT-89/SC-62 marking/标记 2ER 低频功率放大	2SD2459GRL 标记：2ER 封装：SOT-89/SC-62	Panasonic	批号：08NOPB 08NOPB	9400 10起订
小功率电感 LL1608-FS18NJ 18nH 0603-18N	LL1608-FS18NJ 标记：封装：0603-18N	TOKO	批号：05+	1000 10起订

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