请先登录
首页
购物车0
库存700件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK2111
  • 厂家：NEC
  • 批号：05 05+NOPB
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：NU
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.24Ω/Ohm @500mA.10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCHING The 2SK2110 is a N-channel MOS FET of a vertical type and is a switching element that can be directly driven by the output of an IC operating at 5 V. This product has a low ON resistance and superb switching characteristics and is ideal for driving the actuators, such as motors and DC/DC converters. Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Low ON resistance High switching speed Low parasitic capacitance
描述与应用MOS场效应晶体管 N沟道MOS FET高速开关 2SK2110是一个N沟道MOS FET的垂直型 是一种开关元件，可以直接驱动的输出 IC工作在5 V。 该产品具有低导通电阻和一流的开关 特征，并且是用于驱动致动器的理想选择，如 马达和DC / DC转换器。 特性 MOS场效应晶体管 低导通电阻 高开关速度 低寄生电容
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK2111
*主题：
详细内容：
*验证码：