2SK2151 N沟道MOSFET 20V 1A SOT-89 marking/标记 KI 低导通电阻/高速度开关低/电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2151 N沟道MOSFET 20V 1A SOT-89 marking/标记 KI 低导通电阻/高速度开关低/电压驱动

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商品参数：

型号：2SK2151
厂家：SANYO
批号：05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：KI
封装：SOT-89/SC-62/PCP
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	15V
最大漏极电流Id Drain Current	1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.35Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.3W
Description & Applications	Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching applications Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive
描述与应用	特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用低导通电阻非常高的速度开关低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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