2SK2260 N沟道MOSFET 150V 1.2A SOT-89 marking/标记 KO 超高速开关/低导通电阻/低电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2260 N沟道MOSFET 150V 1.2A SOT-89 marking/标记 KO 超高速开关/低导通电阻/低电压驱动

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型号：2SK2260
厂家：SANYO
批号：05NOPB 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：KO
封装：SOT-89/SC-62/PCP
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	1.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1.6Ω/Ohm @600mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	1.5W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching Low-voltage drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性超高速开关应用低导通电阻超高速开关低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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