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  • 型号:2SK2376
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+
  • 整包数量:
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K2376
  • 封装:TO-263
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current45A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance13Ω/Ohm @25A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation100W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L 2−π−MOSV) Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications Features Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applications 4 V gate drive Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 13 mΩ (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 40 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 µA (max) (VDS = 60 V) Enhancement−mode
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型(L 2-π-MOSV) 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动应用 特性 硅N沟道MOS型 斩波稳压器,DC-DC转换器和电机驱动 应用 4 V栅极驱动 低漏源导通电阻RDS(ON)= 13mΩ(典型值) 高正向转移导纳:| YFS|=40 S(典型值) 低漏电流:IDSS=100μA(最大值)(VDS=60 V) 增强型
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK2376
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