请先登录
首页
购物车0
库存1600件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK2552
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+NOPB 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J6
  • 封装：SOT-523/SC-75/USM
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.2~0.45ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.1~-1v
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & Applications•JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR •N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR • High forward transfer admittance 1000 µS TYP. (IDSS = 100 µA) 1600 µS TYP. (IDSS = 200 µA)
描述与应用•结型场效应晶体管 •N沟道硅结型场效应晶体管 •高正向转移导纳 1000μs典型值。 （IDSS= 100μA） 1600μs典型值。 （IDSS= 200μA）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK2552
*主题：
详细内容：
*验证码：