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商品参数:

  • 型号:2SK2795
  • 厂家:HITACHI
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DX
  • 封装:SOT-89/UPAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage10V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current170mA/0.17A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.3-1V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET UHF Power Amplifier High power output, High gain, High effeciency PG = 11dB, Pout = 24dBm, ηD = 40 %min. (f = 836.5MHz) Compact package capable of surface mounting
描述与应用硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 特性 硅N沟道MOS FET UHF功率放大器 高输出功率,增益高,生产效率高PG=11分贝,输出功率为24dBm,ηD= 40%以上。 (F=836.5MHz) 紧凑封装,能够表面安装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK2795
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