2SK2969 N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 GK 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2969 N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 GK 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动

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型号：2SK2969
厂家：SANYO
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：GK
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.28Ω/Ohm @400mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	250mW/0.25W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性超高速开关应用低导通电阻超高速开关 2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
可调电阻 TMC4KB10KTR 10KΩ/Ohm 4X4-10K MARKING/标记 103	TMC4KB10KTR 标记：封装：4X4-10K	NOBLE	批号：05+	200 10起订
快速熔断保险管 R42901.5 1.5A 63V 1206-1.5A	R42901.5 标记：封装：1206-1.5A	LITTELFUSE	批号：05+	15800 10起订
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小功率电感 NL252018T-012K 12nH 2520-12NK 12	NL252018T-012K 标记：12 封装：2520-12NK	TDK	批号：05+ 05+	3500 10起订
HN1B04FE-GR NPN+PNP复合三极管 60V/-50V 150mA/-150mA 120~400 SOT-563/ES6 标记1DG 用于开关/数字电路	HN1B04FE-GR 标记：1DG 封装：SOT-563/ES6	TOSHIBA	批号：04+ 05+	2000 10起订
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FB1F3P 带阻NPN三极管 30V 700mA/0.7A 2.2k 10k 增益135-300 SOT-23/SC-59 marking/标记 P33	FB1F3P 标记：P23 封装：SOT-23/SC-59	NEC	批号：00+	0 10起订

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