2SK2969 N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 GK 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2969 N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 GK 低导通电阻/超高速开关/2.5V驱动

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型号：2SK2969
厂家：SANYO
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：GK
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.28Ω/Ohm @400mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	250mW/0.25W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性超高速开关应用低导通电阻超高速开关 2.5V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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