| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 1A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.2Ω/Ohm @500mA,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistanceRDS(on)= 0. 2Ω typ.(VGS= 4 V, ID = 500 mA) 2.5V gate drive devices Small package (MPAK) |
| 描述与应用 | 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低resistanceRDS（上）=0. 2Ω典型值（VGS=4 V，ID=500毫安） 2.5V栅极驱动装置 小型封装（MPAK） |