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  • 型号：2SK3075
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+
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  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：UBF
  • 封装：PW-X
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage25V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER Features RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF-BAND POWER AMPLIFIER
描述与应用TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE RF POWER MOSFET FOR VHF−AND UHF−BAND POWER AMPLIFIER 特性 RF功率MOSFET VHF和UHF频带功率放大器
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3075
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