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商品参数:

  • 型号:2SK3119
  • 厂家:SANYO
  • 批号:6RNOPB 05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:KS
  • 封装:SOT-89/SC-62/PCP
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @1A,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation3.5W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3119
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