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  • 型号：2SK3376TT-B
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：0613NOPB 06NOPB
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：3B
  • 封装：SOT-523
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage 20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current 0.17~0.3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.15~-1v
耗散功率PdPower Dissipation 100mW/0.1W
Description & Applications •Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
描述与应用 •场效应晶体管的硅N沟道结型
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3376TT-B
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