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  • 型号：2SK3376TK-C
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：04+
  • 整包数量：5000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：3C
  • 封装：SOT-623/TESM3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current0.27~0.48ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.2~-1.2v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Application for Ultra-compact ECM
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 超紧凑ECM应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3376TK-C
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