| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 20A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.035Ω/Ohm @10A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.5-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-state Resistance RDS(on)1 = 44 mΩ MAX (VGS = 10 V, ID = 10 A) RDS(on)2 = 78 mΩ MAX(VGS = 4.0 V, ID = 10 A) Low Ciss : Ciss = 760 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通电阻 RDS（上）1=44mΩ最大（VGS= 10 V，ID=10 A） RDS（）2=78mΩ最大（VGS=4.0 V，ID= 10 A） 低CISS：西斯= 760 pF（典型值） 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装 |