| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 36A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.012Ω/Ohm @18A10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.5-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 10W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Features SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE Low On-State Resistance RDS(on)1 = 15 mΩ MAX(VGS = 10 V, ID = 18 A) RDS(on)2 = 22 mΩ MAX(VGS = 4.0 V, ID = 18 A) Low Ciss : Ciss = 3200 pF TYP Built-in Gate Protection Diode TO-251/TO-252 package |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 开关N沟道功率MOS FET工业用途 特性 开关 N-沟道功率MOS FET 工业用途 低导通状态电阻 RDS（上）1= 15mΩ最大（VGS= 10 V，ID=18 A） 的RDS（on）=22mΩ最大（VGS=4.0 V，ID= 18） 低CISS：西斯= 3200 pF（典型值） 内置门保护二极管 TO-251/TO-252包装 |