2SK360IGFTL-E N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 IGF VHF放大器|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK360IGFTL-E N沟道MOSFET 20V 30mA SOT-23/SC-59 marking/标记 IGF VHF放大器

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型号：2SK360IGFTL-E
厂家：RENESAS
批号：07+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：IGF
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	5V
最大漏极电流Id Drain Current	30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier Features Silicon N-Channel MOS FET VHF amplifier
描述与应用	硅N沟道MOS场效应管高频放大器特性硅N沟道MOS FET VHF放大器

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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