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  • 型号：2SK536
  • 厂家：SANYO
  • 批号：03+2RNOPB 05+NOPB1200
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：BJ
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance20Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-CHANNEL Enhancement MOS Silicon FET Analog Switching application Features N-Channel Enhancement MOS Silicon FET Analog Switch Application Large Yfs Small ON resistance
描述与应用N沟道增强型MOS FET硅 模拟开关应用 特性 N沟道增强MOS FET硅 模拟开关应用 大Yfs 小通态电阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK536
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