2SK662 N沟道结型场效应管 30v 0.5~3mA SOT-323 marking/标记 10P 低频放大|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK662 N沟道结型场效应管 30v 0.5~3mA SOT-323 marking/标记 10P 低频放大

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商品参数：

型号：2SK662
厂家：Panasonic
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：10P
封装：SOT-323/SC70
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	30v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-30v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	0.5~3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.1~-1.5v
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	•Silicon N-Channel Junction FET •For low-frequency amplification •High mutual conductance gm •Low noise type
描述与应用	•硅N沟道结型场效应管 •对于低频放大 •高互导GM •低噪音型

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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