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  • 型号：2SK665
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：30
  • 封装：SOT-323/SC-70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance50Ω/Ohm @20mA,5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.5-3.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon MOS FETs (Small Signal) Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching High-speed switching Small drive current owing to high input inpedance High electrostatic breakdown voltage
描述与应用硅MOS场效应管（小信号） 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关 高速开关 小的驱动电流，由于高输入阻抗方向 静电击穿电压高
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK665
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