首页
购物车0
库存0件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK711-L
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：0727+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：RBL
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current10~20ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -2.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type •High Frequency Amplifier Applications •AM High Frequency Amplifier Applications •Audio Frequency Amplifier Applications • High |Yfs|: |Yfs| = 25 mS (typ.) • Low Ciss: Ciss = 7.5 pF (typ.)
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 •高频放大器的应用 •AM高频放大器的应用 •声频放大器的应用 •高| YFS|：| YFS| =25毫秒（典型值） •低CISS：西塞=7.5 pF的（典型值）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK711-L
*主题：
详细内容：
*验证码：