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  • 型号：2SK738-Z-E1
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K738
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.1Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsFAST SWITCHING Features Fast switching Silicon N-Channel POWER MOS FET Industrial use Suitable for switching power supplies，actuator controls，and pulse circuits Low Ciss No second breakdown 4 V gate drive-logical level Designed for hybrid integrated circuit
描述与应用快速切换 特性 快速开关 硅N沟道功率MOS FET 工业用 适用于开关电源，执行器控制装置和脉冲电路 Ciss低 无二次击穿 4栅极驱动电压逻辑电平 专为混合集成电路
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK738-Z-E1
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