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商品参数:

  • 型号:2SK973
  • 厂家:HITACHI
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K973
  • 封装:TO-252/D-PAK
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.25Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation10W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device -Can be driven from 5 V source Suitable for motor drive, DC-DC converter,power switch and solenoid drive
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动装置 可以从5 V电源驱动 适用于电机驱动,DC-DC转换器,电源开关和螺线管驱动
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK973
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