请先登录
首页
购物车0
库存2150件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：3LN01C
  • 厂家：SANYO
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：YA
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current150mA/0.15A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance2.9Ω/Ohm @80mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation250mW/0.25W
Description & ApplicationsN-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive
描述与应用N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 超高速开关应用 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
3LN01C
*主题：
详细内容：
*验证码：