| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -2/-1.5 |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Suitable for use as RF amplifier in VHF TV tuner Low Crss : 0.05 pF TYP High Gps : 23 dB TYP Low NF : 1.3 dB TYP |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 射频放大器。 VHF电视调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN MINI模具 特性 MOS场效应晶体管 VHF电视调谐RF放大器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN 迷你模具 适合用于甚高频电视调谐器中RF放大器 低Crss：0.05 pF（典型值） 高GPS：23 dB（典型值） 低噪声系数：1.3 dB（典型值） |