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  • 型号：3SK131
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：V12
  • 封装：SOT-143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-2/-1.5
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Features MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP FOR VHF TV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4PIN MINI MOLD Suitable for use as RF amplifier in VHF TV tuner Low Crss : 0.05 pF TYP High Gps : 23 dB TYP Low NF : 1.3 dB TYP
描述与应用MOS场效应晶体管 射频放大器。 VHF电视调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN MINI模具 特性 MOS场效应晶体管 VHF电视调谐RF放大器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4PIN 迷你模具 适合用于甚高频电视调谐器中RF放大器 低Crss：0.05 pF（典型值） 高GPS：23 dB（典型值） 低噪声系数：1.3 dB（典型值）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
3SK131
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