请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:3SK137
  • 厂家:HITACHI
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:IW
  • 封装:SOT-143/MPAK-4
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage-2/-2
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsFeatures SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS FET VHF TV TUNER RF AMPLIFIER
描述与应用特性 硅N沟道双栅MOS FET VHF电视调谐射频放大器
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
3SK137
*主题:
详细内容:
*验证码: