| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 15V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 10/10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0-1.3/0.1-1.6V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. AND MIXER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICON FET(DUAL GATE) High-frequency general-purpose amp applications FM tuners and VHF tuners Easy AGC(cut off at V=0V) High power gain and low noise figure High forward transfer admittance |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 射频放大器。 CATV调谐器和混频器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 特性 N沟道增强MOS硅场效应管（双门） 高频通用放大器的应用 FM调谐器和甚高频调谐 易AGC（切断V=0V） 高功率增益和低噪声系数 高正向转移导纳 |