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  • 型号：3SK194
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：IY
  • 封装：SOT-143/MPAK-4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage15V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current35mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-1/-1.5
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET VHF/UHF TV tuner RF amplifier
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET 特性 硅N沟道双栅MOS FET 甚高频/ UHF电视调谐RF放大器
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
3SK194
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