| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 18V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0-1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS TYPE RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD The Characteristic of Cross-Modulation is good CM = 92 dBµ TYP. @ f = 200 MHz, GR = –30 dB Low Noise Figure: NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz) NF2 = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz) High Power Gain: GPS = 23 dB TYP. (f = 200 MHz) Enhancement Type Suitable for use as RF amplifier in FM tuner and VHF TV tuner Automatically Mounting: Embossed Type Taping Small Package: 4 Pins Mini Mold |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 FM调谐器和VHF电视调谐器RF放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 特性 硅N沟道双栅MOS型 FM调谐器和甚高频电视调谐器RF放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚迷你模具 交叉调制的特点是良好 CM= 92dBμ典型值。 @ F =200兆赫，GR=-30分贝 低噪声系数：NF1=1.2 dB典型值。 （六=200兆赫） NF2= 1.0 dB（典型值）。 （六= 55兆赫） 高功率增益：GPS=23 dB典型值。 （六=200兆赫） 增强型 适合用作FM调谐器和VHF电视调谐器RF放大器 自动安装：压花类型大坪 小包装：4针脚小型模具 |