| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 18V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -1.5-0.5/-1-1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMP. FOR VHF/CATV TUNER N-CHANNEL SILICON DUAL-GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Features Silicon N-Channel Dual Gate MOS TYPE RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI MOLD Low Noise Figure: NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz) High Power Gain: GPS = 17 dB TYP. (f = 900 MHz) Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner Automatically Mounting: Embossed Type Taping Small Package: 4 Pins Mini Mold |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 射频放大器。对于VHF/ CATV调谐器 N-沟道硅双栅MOS场效应晶体管 4引脚MINI模具 特性 硅N沟道双栅MOS型 UHF电视调谐器射频放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4引脚迷你模具 低噪声系数：NF= 1.8 dB（典型值）。 （六=900兆赫） 高功率增益：GPS= 17 dB典型值。 （六=900兆赫） 适合用于UHF电视调谐器中RF放大器 自动安装：压花类型大坪 小包装：4针脚小型模具 |