| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 12.5 |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 30mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.4-1.4/0.5-1.5 |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel Dual Gate MOS Type TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications • Superior cross modulation performance. • Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF (typ.) • Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) TV Tuner, UHF RF Amplifier Applications • Superior cross modulation performance. • Low reverse transfer capacitance.: Crss = 20 fF (typ.) • Low noise figure.: NF = 1.5dB (typ.) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N沟道双栅MOS类型 电视调谐器，超高频射频放大器应用 •高级交叉调制性能。 •低反向传输电容：CRSS= 20 FF（典型值） •低噪声系数：NF=1.5分贝（典型值） 电视调谐器，超高频射频放大器应用 •高级交叉调制性能。 •低反向传输电容： CRSS= 20 FF（典型值） •低噪声系数：NF=1.5分贝（典型值 |