| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 18V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 8V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 25mA |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | -0.1-1/0-1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 130mW/0.13W |
| Description & Applications | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD FEATURES • Low VDD Use : (VDS = 3.5 V) • Driving Battery • Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz) • High Power Gain : GPS = 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz) • Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner. • Automatically Mounting : Embossed Type Taping • Package : 4 Pins Mini Mold |
| 描述与应用 | MOS场效应晶体管 CATV调谐器射频放大器 硅N沟道双栅MOS场效应晶体管 4骏超级迷你模具 •低VDD使用方法（VDS=3.5 V） •驾驶电池 •低噪声系数：NF= 1.8 dB（典型值）。 （六=900兆赫） •高功率增益：：GPS=18.0 dB（典型值）。 （六=900兆赫） •适合用于UHF电视调谐器RF放大器。 •自动安装：压花类型大坪 •包装：4针脚小型模具 |