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  • 型号:3SK284
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:U1
  • 封装:SOT-343
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current4mA-16mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.5V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTER .GaAs N-channel Dual Gate MES FET .Applications: TV TUNER,UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS.
描述与应用东芝场效应型晶体管. 砷化镓N沟道双栅MES FET. 应用: 电视调谐器,超高频 RF放大器.
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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3SK284
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