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  • 型号：3SK285
  • 厂家：Panasonic
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：HV
  • 封装：SOT-143
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage13V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current30mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage-1-1/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsHigh Frequency FETs Silicon N-Channel MOS FET For UHF amplification Features lLow noise-figure (NF) lLarge power gain PG Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic insertion through the tape/magazine packing
描述与应用高频场效应管 硅N沟道MOS FET 对于UHF扩增 LLOW噪声系数（NF） lLarge功率增益PG 迷你型包装，使瘦身套和自动 通过插入磁带/盒包装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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3SK285
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