3SK296ZQ-TL-E N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

3SK296ZQ-TL-E N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作

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型号：3SK296ZQ-TL-E
厂家：RENESAS
批号：05 NOPB
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZQ
封装：SOT-343/CMPAK-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	-0.5-0.5/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用	硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 •低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 •能够低电压操作

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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保险管过流保护 UNHZ20200LS0 1A 0805-1A marking/标记 H2	UNHZ20200LS0 标记：H2 封装：0805-1A	Panasonic	批号：05+12KNOPB 12+ROHS15KM	50000 10起订
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