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  • 型号：3SK309
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：XV
  • 封装：SOT-343/CMPAK–4
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage6V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-4V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current40mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.2V -- -1.5V
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & ApplicationsGaAs N Channel Dual Gate MES FET. UHF RF Amplifier. Features: . Capable of low voltage operation (VDS = 1.5 to 3 V) . Excellent low noise characteristics (NF = 1.25 dB typ. at f = 900 MHz) . High power gain (PG = 21.0 dB typ. at f = 900 MHz)
描述与应用砷化镓N沟道双栅MES FET。 UHF射频放大器。 特点： .能低电压工作（VDS= 1.5到3 V） .优越的低噪点特性（NF= 1.25 dB（典型值），在f =900兆赫） .高功率增益（PG=21.0 dB（典型值），在f =900兆赫）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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3SK309
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